支持各种蒸发源(即EB,RH,EB+RH等);基材托架与每个过程相一致的(即剥离,行星,卫星等);支持各种基材;基材尺寸支持从φ5 08厘米到15 24厘米,矩形基材,硅,化合物,玻璃和陶瓷;在LCD触摸面板上显示和操作;卓越的PC操作系统和功能(独特功能,数据记录,维护辅助功能)。
描述:
这是一种批量型高真空蒸发系统,用于在基底上沉积金属和氧化物。由于该系统的操作面板具有实现自动真空和沉积过程的集成控制功能,因此建议用于研发和小规模生产。
特性:
支持各种蒸发源(即EB,RH,EB + RH等)。
基材托架与每个过程相一致的(即剥离,行星,卫星等)。
支持各种基材; 基材尺寸支持从φ5.08厘米到15.24厘米,矩形基材,硅,化合物,玻璃和陶瓷。
在LCD触摸面板上显示和操作。
卓越的PC操作系统和功能(独特功能,数据记录,维护辅助功能)。
应用:
电源设备的复合相关装置
LED,LD和高速设备
各种研发
其他通用电子设备
ei-5 |
|||
1. 基板 1) 材料 2) 尺寸规格 |
・硅(Si) 砷化镓(GaAs) 玻璃陶瓷等 |
||
・Φ2 ~8inch及各种形状的基板 |
|||
2. 真空条件 1) 主泵 2) 极限压强 3) 排气速度 |
・低温泵 ・3.0×10-5 Pa 或更低 ・20分钟内达到 3.0×10-4 Pa |
||
3. 成膜 1) 蒸发源 2) 基板保持架 3) 膜厚均匀性 |
・电子束蒸发(10kw,16kw), 热阻蒸发 / 挡板共用 ・公转盘,行星盘 ・Φ2~8inch均在±5%以下 |
||
4. 基板加热 |
・红外灯加热 (最高350℃) |
||
5. 操作模式 |
・触摸屏控制 : PC+PLC |
||
6. 附设 1) 供电 2) 冷却水 3) 压缩空气 4) 放气(氮气) 5) 接地 |
・AC200V,φ3,50/60 Hz,60 kVA ・29 L/min, 20~28℃, 电阻率 5 kΩcm,需要压力 0.4 MPa, 背压 0.05 MPa ・0.4 ~0.7 MPa ・0.2 MPa放气及低温泵再生 ・A & D (JEM,JEC) |
描述:
这是一种批量型高真空蒸发系统,用于在基底上沉积金属和氧化物。由于该系统的操作面板具有实现自动真空和沉积过程的集成控制功能,因此建议用于研发和小规模生产。
特性:
支持各种蒸发源(即EB,RH,EB + RH等)。
基材托架与每个过程相一致的(即剥离,行星,卫星等)。
支持各种基材; 基材尺寸支持从φ5.08厘米到15.24厘米,矩形基材,硅,化合物,玻璃和陶瓷。
在LCD触摸面板上显示和操作。
卓越的PC操作系统和功能(独特功能,数据记录,维护辅助功能)。
应用:
电源设备的复合相关装置
LED,LD和高速设备
各种研发
其他通用电子设备
ei-5 |
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1. 基板 1) 材料 2) 尺寸规格 |
・硅(Si) 砷化镓(GaAs) 玻璃陶瓷等 |
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・Φ2 ~8inch及各种形状的基板 |
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2. 真空条件 1) 主泵 2) 极限压强 3) 排气速度 |
・低温泵 ・3.0×10-5 Pa 或更低 ・20分钟内达到 3.0×10-4 Pa |
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3. 成膜 1) 蒸发源 2) 基板保持架 3) 膜厚均匀性 |
・电子束蒸发(10kw,16kw), 热阻蒸发 / 挡板共用 ・公转盘,行星盘 ・Φ2~8inch均在±5%以下 |
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4. 基板加热 |
・红外灯加热 (最高350℃) |
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5. 操作模式 |
・触摸屏控制 : PC+PLC |
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6. 附设 1) 供电 2) 冷却水 3) 压缩空气 4) 放气(氮气) 5) 接地 |
・AC200V,φ3,50/60 Hz,60 kVA ・29 L/min, 20~28℃, 电阻率 5 kΩcm,需要压力 0.4 MPa, 背压 0.05 MPa ・0.4 ~0.7 MPa ・0.2 MPa放气及低温泵再生 ・A & D (JEM,JEC) |