27 12MHz的高密度等离子体工艺;支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉积;通过CF4+O2等离子体维持腔室清洁;支持用于有机EL低温沉积的加热器;支持各种基材尺寸;C系列中间接顺序处理的真空启用盒(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。
描述:
CC-200/400是一款紧凑且易于使用的研发和生产系统。
特性:
27.12MHz的高密度等离子体工艺
支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉积。
通过CF4 + O2等离子体维持腔室清洁。
支持用于有机EL低温沉积的加热器。
支持各种基材尺寸。
C系列中间接顺序处理的真空启用盒(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。
应用:
电源设备
LED,LD和高速器件的化合物相关器件
研发用有机EL系统
研发用太阳能电池系统
微机电系统(MEMS)
描述:
CC-200/400是一款紧凑且易于使用的研发和生产系统。
特性:
27.12MHz的高密度等离子体工艺
支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉积。
通过CF4 + O2等离子体维持腔室清洁。
支持用于有机EL低温沉积的加热器。
支持各种基材尺寸。
C系列中间接顺序处理的真空启用盒(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。
应用:
电源设备
LED,LD和高速器件的化合物相关器件
研发用有机EL系统
研发用太阳能电池系统
微机电系统(MEMS)