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各种应用（NVM，Al和铜布线，钛或氮化钛阻挡金属，厚铝和钴或镍自对准硅化物等）;不仅具备Si器件的处理能力，而且还具备化合物半导体、石英器件等的处理能力;根据集群工具的概念，最多可以配备10个过程模块;单独或平台共用;晶片传输速度提高了60％，实现了高还原性和低CO2;出于环保考虑，标准配备了各种节能功能，相比目前型号可以节能30％;配备了与新一代半导体Fab相配的控制系统；优异的薄膜控制和EES兼容性；高级自动化Fab合规性。
描述：
多室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300是结合各种工艺的最新平台。
适用于新一代可扩展性的高端型号，可满足客户高吞吐量和节能需求。ULVAC将以先进的PVD，CVD和ALD模块等先进技术，满足客户的各种需求。
特性：
灵活的模块配置
PVD和CVD / ALD工艺的集成
各种应用（NVM，Al和铜布线，钛或氮化钛阻挡金属，厚铝和钴或镍自对准硅化物等）
不仅具备Si器件的处理能力，而且还具备化合物半导体、石英器件等的处理能力。
根据集群工具的概念，最多可以配备10个过程模块
单独或平台共用
晶片传输速度提高了60％，实现了高还原性和低CO2。
出于环保考虑，标准配备了各种节能功能，相比目前型号可以节能30％。
配备了与新一代半导体Fab相配的控制系统；优异的薄膜控制和EES兼容性；高级自动化Fab合规性。
应用：
先进的半导体存储器（DRAM和闪存）
新一代NVM（STT-MRAM，ReRAM，PCRA，CBRAM，FeRAM等）
先进的逻辑设备
CMOS图像传感器
产品规格：
|
参数 |
ENTRON TM -EX2 W300（串联） |
ENTRON TM -EX2 W300（单独） |
|
|
组态 |
传输系统 |
EFEM，真空传输模块x 2 |
EFEM，真空传输模块x 1 |
|
模块 |
L / UL腔室x 2 |
L / UL室x 2 |
|
|
晶片尺寸 |
直径300mm |
||
|
运输机器人 |
双臂式高速真空机器人x 2 配备了晶片位置调节器 |
双臂式高速真空机器人×1 配备了晶片位置调节器 |
|
|
控制系统 |
FA-PC控制（集群工具控制器） |
||
|
应用 |
内存，NVM，逻辑，多层进程 |
内存，NVM，逻辑，研发，小生产 |
|
|
泵系统 |
主泵 |
LL模块：TMP |
|
|
低真空泵 |
低真空干泵，TMP前干泵 |
||
|
处理 |
溅射系统 |
溅射/旋转磁铁阴极：常规，LTS，SIS，HiCIS，三枪阴极 |
|
|
预清洗 |
ICP蚀刻，H2退火，CDT |
||
|
CVD / ALD |
FEOL，BEOL，NVM的CVD / ALD |
||
|
工艺管线 |
PVD：最多4行 |
||
|
吞吐量 |
机械吞吐量：160wph（双转移） |
||
|
极限压力 |
传输模块：<8.0 x10E -6 Pa |
||
|
THK均匀性（* 1） |
直径300mm <±5％ |
||
|
过程温度 |
RT至450ºC |
||
|
电力 |
50Hz / 60Hz，3相，200V |
||
|
冷却水 |
0.3到0.5MPa，温度20到25ºC |
||
|
气体 |
工艺用气体：0.1〜0.3MPa DRP N2吹扫用气体：0.2〜0.7MPa |
||
|
压缩的压力 |
0.5至0.7MPa |
||
|
节能功能 |
标配 |
||
|
接地 |
A级（1级）地线（10欧姆以内） |
||
|
选配 |
LTS / SIS /三枪阴极/ CVD / ALD模块可选配 |
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描述：
多室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300是结合各种工艺的最新平台。
适用于新一代可扩展性的高端型号，可满足客户高吞吐量和节能需求。ULVAC将以先进的PVD，CVD和ALD模块等先进技术，满足客户的各种需求。
特性：
灵活的模块配置
PVD和CVD / ALD工艺的集成
各种应用（NVM，Al和铜布线，钛或氮化钛阻挡金属，厚铝和钴或镍自对准硅化物等）
不仅具备Si器件的处理能力，而且还具备化合物半导体、石英器件等的处理能力。
根据集群工具的概念，最多可以配备10个过程模块
单独或平台共用
晶片传输速度提高了60％，实现了高还原性和低CO2。
出于环保考虑，标准配备了各种节能功能，相比目前型号可以节能30％。
配备了与新一代半导体Fab相配的控制系统；优异的薄膜控制和EES兼容性；高级自动化Fab合规性。
应用：
先进的半导体存储器（DRAM和闪存）
新一代NVM（STT-MRAM，ReRAM，PCRA，CBRAM，FeRAM等）
先进的逻辑设备
CMOS图像传感器
产品规格：
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参数 |
ENTRON TM -EX2 W300（串联） |
ENTRON TM -EX2 W300（单独） |
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组态 |
传输系统 |
EFEM，真空传输模块x 2 |
EFEM，真空传输模块x 1 |
|
模块 |
L / UL腔室x 2 |
L / UL室x 2 |
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晶片尺寸 |
直径300mm |
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运输机器人 |
双臂式高速真空机器人x 2 配备了晶片位置调节器 |
双臂式高速真空机器人×1 配备了晶片位置调节器 |
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控制系统 |
FA-PC控制（集群工具控制器） |
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应用 |
内存，NVM，逻辑，多层进程 |
内存，NVM，逻辑，研发，小生产 |
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泵系统 |
主泵 |
LL模块：TMP |
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低真空泵 |
低真空干泵，TMP前干泵 |
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处理 |
溅射系统 |
溅射/旋转磁铁阴极：常规，LTS，SIS，HiCIS，三枪阴极 |
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预清洗 |
ICP蚀刻，H2退火，CDT |
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CVD / ALD |
FEOL，BEOL，NVM的CVD / ALD |
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工艺管线 |
PVD：最多4行 |
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吞吐量 |
机械吞吐量：160wph（双转移） |
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极限压力 |
传输模块：<8.0 x10E -6 Pa |
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THK均匀性（* 1） |
直径300mm <±5％ |
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过程温度 |
RT至450ºC |
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电力 |
50Hz / 60Hz，3相，200V |
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冷却水 |
0.3到0.5MPa，温度20到25ºC |
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气体 |
工艺用气体：0.1〜0.3MPa DRP N2吹扫用气体：0.2〜0.7MPa |
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压缩的压力 |
0.5至0.7MPa |
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节能功能 |
标配 |
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接地 |
A级（1级）地线（10欧姆以内） |
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选配 |
LTS / SIS /三枪阴极/ CVD / ALD模块可选配 |
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